IGBT器件

2024-05-07 22:54:05

　　江南app随着近年来我国消费电子、汽车电子、工业电子等多个行业的高速发展以及新能源汽车、物联网、新能源等新兴领域的兴起，我国电子元器件的需求不断增加，带动行业迅速发展。亚太地区集成无源器件市场预测将在2020年至2026年见证超过10％的增长率，这得益于政府对该地区半导体制造业扩张的支持

　　人工智能内容生成（AIGC）技术在近一年来引起了科技界的广泛关注，因为它对各个行业有着颠覆性的影响。但是，要支持u

　　AMD 以全新第二代 Versal 系列器件扩展领先自适应 SoC 产品组合，为 AI 驱动型嵌入式系统提供端到端加速

　　2024 年 4 月 9 日，德国纽伦堡（国际嵌入式展）——AMD（超威，纳斯达克股票代码：AMD）今日宣布扩展 AMD Versal 自适应片上系统（ SoC）产品

　　2月27日--智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON/u

　　Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件，针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转换领域扩展产品线

　　加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚&

　　Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件， 助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能

　　新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管，扩展Transphorm多样化的产品封装组合加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 29 日 － 代表着下一代电源系统未来的，氮化镓

　　Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件

　　三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型（Normally－Off D－Mode）平台优势，此类高功率系统需要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性能，并产生较低的热量加利福尼亚

　　Transphorm氮化镓器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首个全集成化微型逆变器光伏系统

　　使用更为先进的 Transphorm氮化镓器件，使突破性的太阳能电池板系统外形更小、更轻，且拥有更高的性能和效率。加利福尼亚州戈莱塔 － 2023 年 10月 12日 － 新世代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商Transphorm

　　以高度灵活性满足高功率密度和性能需求：英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7 产品组合，推出全新电流额定值模块

　　英飞凌科技股份公司推出搭载1200 V TRENCHSTOP IGBT7芯片的62 mm半桥和共发射极模块产品组合。模块的最大电流规格高达 800 A ，扩展了英飞凌采用成熟的62 mm 封装设计的产品组合

　　ROHM推出全新Power Stage IC：可替代Si MOSFET，器件体积减少99％

　　近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。在此背景下，全球知名

　　意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片，保护功率转换和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动

　　2023 年 5月 16 日，中国 —— 意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 （iso－buck） 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑，以及低静态电流、3．5V－38V 宽输入电压等优势。L69