产品中心PRDUCTS
技术支持RECRUITMENT
用于控制电压瞬变的缓冲电路分析
2023-07-17 23:53:14
江南体育官网与外部系统电感一起定义施加的dv/dt,即能量快速存储在电容中,然后在电阻中缓慢耗散。RC值有许多不同的组合,能够在相关电路中为晶闸管提供可接受的保护。但是,值不足会导致电路不稳定和晶闸管损坏。
通常在晶闸管电路外部和内部产生电压瞬变。外部瞬变由交流电源产生,主要来自变压器中存储的能量。内部瞬变由每个晶闸管换向产生,主要在关断时产生。当晶闸管导通时,有串联的电感,在关闭时会产生高峰值反向电压。当晶闸管进入阻塞状态时,电容器抑制电压浪涌(dv/dt),电阻抑制LC电路中的振荡,并限制电容器再次开始导通时通过晶闸管的放电电流。
一些最好的缓冲电路还包括限压MOV(金属氧化物压敏电阻)以及RC电路。这可以通过在输入线上连接MOV来完成,如单相和三相电路所示。
然后,MOV将保护并联电路和负载。它将设置通过负载的最大输入电压和di/dt,而RC缓冲器设置晶闸管两端的最大dv/dt和峰值电压。以这种方式使用的MOV必须非常大以防止损坏。
或者,更常见的方法是在每个晶闸管上使用MOV。负载阻抗限制了来自线路的浪涌能量,这允许使用较小的MOV。这通过限制最大电压和通过晶闸管的缓冲放电di/dt来保护每个晶闸管。
,并且示波器波形显示的速度变得非常慢,调节步长没有用。单独的第一个模块,第二个模块和结合在一起的
和测量仿真技术 /
/扰动测试方案 /
的定义是电能的短时激增,它们是先前存储的电能或者通过其他方式(比如大电感负载或雷电)引入的电能的突然释放的结果。在电气或电子
损害 /
器提供的基本功能是限制浪涌电流、减少连接器上的大电流应力以及消除卡插入热背板时的系统电源毛刺,但不提供大输入