防反接保护电路图 三种防反接保护电路解析

2023-09-01 04:12:13

　　江南app下载电路。当输入电流比较大的时候，此电路消耗功耗严重，例如：输入2A的电流，二极管的压降为0.7V，则消耗的功率为Pd=2A * 0.7V=1.4W，这样效率低，发热量大，需要加散热器。

　　2、用二极管整流桥对输入做整流：那样虽然输入部分正负，但是大电流时，消耗的功耗是上图的2倍，2.8W。下图所示：

　　利用MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够做到毫欧级，解决了现有采用二极管防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。

　　极性反接保护将保护场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管与PMOS场效应管或NMOS场效应管。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。

　　N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接与电源和负载之间，R1为MOS管提供偏置电压，利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。正接时候，R1挺高VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候，MOS不能导通，所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds(on）只有20毫欧实际损耗很小，2A的电流，功耗为0.08W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。

　　VZ1为稳压管防止栅极电压过高击穿MOS管。NMOS的导通电阻比PMOS的小，最好选择NMOS。

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　　工作原理 随着物联网和智能家居的普及，越来越多的设备需要接收电源供电。但在现实生活中，由于错误的接线或其他原因，很容易发生电源

　　最大的优势是几乎零压降，二极管的压降一般都0.5V~1V左右，但是MOS管就不一样了，MOS管的内阻很小，小的只有几mΩ。 假如5mΩ的内阻，经过1A的电流压降只有5mV，10A电流压降也才50mV。

　　。如图1所示： 这种接法简单可靠，成本低，但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。若输入电流额定值达到3A,一般二极管压降为0.7

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　　。如下图1示：这种接法简单可靠，但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额定值达到2A,如

　　其进行防护，如采用保险丝，二极管，MOS管等方式，这里就稍微做一下梳理总结。2.方式介绍2.1 二极管

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　　，方法多种，现在推荐用一颗肖特基整流二极管，最简单有效肖特基整流二极管特性：单向导电性、功耗低

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　　的设计中，如果用户接反电源正、负极，可能会发生意外事故或者烧坏电子产品。为了防止这些意外发生，提高产品的可靠性，我们可以设计一个

　　，但是二极管会产生正向压降，不适合低电压供电的情况，如3.3V。而场效应管因为内阻低，所以导通压降可以忽略不计。下面以MOSFET为例来介绍场效应管的

　　1的两倍。当输入电流为3A时，Pd＝3A×0.7V×2＝4.2W，更要加散热片了。这成本更高，不实用。 3、MOS管型

　　，由于功率MOS管的内阻很小，现在HOMSEMI MOSFET Rds（on）已经能够做到毫欧级，解决了现有采用二极管电源