PMOS防反接江南体育官网保护电路和MOS管防电源反接电路设计解析

2023-09-01 04:16:59

　　江南体育官网由于正确的VGS(栅极到源极电压)而导通，但在反极性情况下，栅极到源极电压太低而无法导通MOSFET并将负载与输入电源断开。

　　DS漏源电阻(RDS)：使用极低的RDS(漏源电阻)以实现低散热和极低的输出压降，更高的RDS将产生更高的热耗散。

　　D漏极电流：通过MOSFET的最大电流，如果负载电流需要2A电流，选择能够承受该电流的MOSFET。在这种情况下，漏极电流为3A的MOSFET是一个不错的选择。选择比实际需要大的参数。

　　DS漏源电压：DS漏源电压需要高于电路电压。如果电路需要最大30V的电压，则需要漏源电压为50V的MOSFET才能安全运行，始终选择大于实际需要的参数。反接时，MOSFET会因Vgs不足而关断，对负载电流和MOSFET都没有影响。

　　每个MOSFET都带有一个Vgs（栅极到源极电压）。如果栅极到源极电压增加超过最大额定值，这可能会损坏MOSFET栅极。因此，选择一个不会超过MOSFET栅极电压的齐纳二极管电压。对于10V的Vgs，9.1V齐纳二极管就足够了。确保栅极电压不应超过最大额定电压。

　　正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。但是，当反向电压临近反向电压的临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值。尽管电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附件，从而实现了二极管的稳压功能。

　　1.不适合大负载场景。只适合负载比较小的场景（几十mA），当应用于大电流场景时发热会很严重！

　　当没有达到齐纳二极管的反向击穿电压时，齐纳二极管相当于不存在，正向使用时就相当于肖特基二极管。

　　MOS管作开关：无论是N沟道还是P沟道，一定是寄生二极管的负极接输入边，正极接输出端或GND，否则就无法实现开关功能了。

　　如果方向接反，会出现下面这种情况，起不到开关作用：因为通过寄生二极管直接导通，S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。

　　隔离作用：也就是防反接，相当于一个二极管。使用二极管，导通时会有压降，会损失一些电压。而使用MOS管做隔离，在正向导通时，在G极加合适的电压，可以让MOS管饱和导通，这样通过电流时，几乎不产生压降。

　　作隔离作用时，不论N沟道还是P沟道，寄生二极管的方向就是电路导通的方向。使用PMOS做隔离电路最常见。

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　　的内阻很小，小的只有几mΩ。 假如5mΩ的内阻，经过1A的电流压降只有5mV，10A电流压降也才50mV。

　　欧的内阻，假设是6.5毫欧，通过的电流为1A（这个电流已经很大了），在他上面的压降只有6.5毫伏。由于

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